Muaj feem xyuam rau Passat roj hom kev tsheb ciav hlau siab sensor 06E906051K

1. Ib txoj hauv kev tsim lub siab sensor, suav nrog:

Muab lub semiconductor substrate, nyob rau hauv thawj interlayer dielectric txheej, thawj interlayer dielectric txheej thiab ib tug thib ob interlayer dielectric txheej yog tsim nyob rau hauv semiconductor substrate.

Ib txheej electrode ib lub phaj nyob rau hauv thawj txheej sib txuam, thawj zaug sib khawm hluav taws xob uas nyob rau ntawm tib cov txheej thiab qis dua electrode phaj thiab spaced sib nrug.

Txuas cov khaubncaws sab nraud povtseg;

Tsim ib txheej kev txi saum toj sauv qaum teb phaj;

Tsim ib lub sab sauv electrode phaj rau thawj txheej interlayer, thawj txheej txheem txheej txheem thiab cov txheej txis fij;

Tom qab tsim cov txheej txheem kev txi thiab ua ntej tsim cov phaj sab sauv, hauv thawj txheej kev sib tshuam

Ua ib qho kev sib txuas zawv zawg, thiab sau qhov sib txuas zawj nrog lub phaj sab sauv kom cov hluav taws xob txuas nrog thawj txheej kev sib txuas;Los yog,

Tom qab tsim lub sab sauv electrode phaj, txuas grooves yog tsim nyob rau hauv lub sab sauv electrode phaj thiab thawj interconnection txheej, uas.

Tsim ib txheej conductive txuas lub sab sauv electrode phaj thiab thawj txheej kev sib txuas hauv qhov txuas txuas;

Tom qab hluav taws xob txuas lub phaj sab sauv thiab thawj txheej txheej sib txuas, tshem tawm cov txheej txheem txiab los ua kab noj hniav.

2. Txoj kev tsim lub siab sensor raws li thov 1, nyob rau hauv thawj txheej

Cov txheej txheem rau kev tsim cov txheej txheem kev txi ntawm cov txheej txheej interlayer dielectric muaj cov hauv qab no:

Depositing ib tug sacrificial khoom txheej rau thawj interlayer dielectric txheej;

Patterning the sacrificial material layer to form ib sacrificial layer.

3. Cov txheej txheem rau kev tsim lub siab sensor raws li daim ntawv thov 2, uas siv photolithography thiab engraving.

Cov txheej txheem khoom fij tseg yog qauv los ntawm txheej txheem etching.

4. Cov txheej txheem rau kev tsim lub siab sensor raws li thov 3, nyob rau hauv lub fwj txheej txheej

Cov khoom yog amorphous carbon los yog germanium.

5. Cov txheej txheem rau kev tsim ib lub siab sensor raws li thov 4, nyob rau hauv lub fwj txheej txheej

Cov khoom siv yog amorphous carbon;

Etching gases siv nyob rau hauv cov txheej txheem ntawm etching cov khoom fij txheej muaj xws li O2, CO, N2 thiab Ar;

Cov tsis muaj nyob rau hauv tus txheej txheem ntawm etching cov khoom fij txheej txheej yog: qhov ntws ntawm O2 yog 18 SCCM ~ 22 SCCM, thiab tus nqi ntawm CO yog 10%.

Tus nqi ntws ntawm 90 SCCM mus rau 110 SCCM, tus nqi ntws ntawm N2 yog li ntawm 90 SCCM txog 110 SCCM, thiab tus nqi ntws ntawm Ar.

Qhov ntau yog 90 SCCM ~ 110 SCCM, lub siab ntau yog 90 mtor ~ 110 mtor, thiab lub zog tsis zoo yog

540w660 wb.